Окружной суд Техаса признал Samsung Electronics виновной в нарушении патента, принадлежащего патентному бюро Корейского института передовых технологий (KAIST IP US), которое базируется в пригороде Далласа.
Читайте такжеСуд обязал Samsung выплатить Apple более $500 миллионов долларов
Об этом сообщает Коммерсант.
"Теперь южнокорейскому производителю придется заплатить штраф в $400 миллионов", - говорится в сообщении.
Как сообщает агентство Bloomberg, речь идет о патенте на технологию FinFet - транзисторе, который позволяет значительно повысить производительность микрочипа, при этом снизив его энергопотребление.
Согласно заявлению KAIST IP US, изначально южнокорейский производитель скептически отнесся к изобретению, посчитав его незначительным.
Однако после того, как на него обратил внимание главный конкурент Samsung на рынке полупроводников - Intel, корейская компания тоже занялась разработкой этой технологии, нарушив тем самым соглашение между Intel и KAIST.
Южнокорейский производитель настаивает на том, что работал над созданием FinFet вместе с Корейским институтом, а значит, не мог нарушить прав на изобретение.
Компания намерена подать апелляцию на решение окружного суда Техаса.
